Thư Viện trường Đại Học Nha Trang

Sách ngoại văn
Ký hiệu PL/XG: 621.38152
Nhan đề: CMOS SRAM circuit design and parametric test in nano-scaled technologies : [electronic resource] :process-aware SRAM design and test / Andrei Pavlov, Manoj Sachdev.

DDC	621.38152
Tác giả CN	Pavlov, Andrei,
Nhan đề	CMOS SRAM circuit design and parametric test in nano-scaled technologies : process-aware SRAM design and test / Andrei Pavlov, Manoj Sachdev.
Thông tin xuất bản	[Dordrecht] : Springer, c2008.
Mô tả vật lý	xvi, 193 p. : ill. ; 25 cm.
Thuật ngữ chủ đề	Nanoelectronics.
Thuật ngữ chủ đề	Metal oxide semiconductors, Complementary-Design.
Thuật ngữ chủ đề	Random access memory.
Môn học	Mạch điện
Môn học	Kỹ thuật điện
Tác giả(bs) CN	Sachdev, Manoj.
Tác giả(bs) TT	SpringerLink (Online service)
Địa chỉ	Thư viện Đại học Nha Trang


000	01835nam a2200445Ia 4500
001	26845
002	12
003	SIRSI
004	C154F363-9D0C-4609-A9A8-4241DE8F9D66
005	201306101422
006	m d
007	cr cn\|
008	090529s2008 ne a sb 001 0 eng d
009	1 0
039	\|a20130610142057\|bnguyenloi\|y20130610094759\|znguyenloi
082	04\|222\|a621.38152
100	1 \|aPavlov, Andrei,\|cPh. D.
245	10\|aCMOS SRAM circuit design and parametric test in nano-scaled technologies : \|bprocess-aware SRAM design and test / \|cAndrei Pavlov, Manoj Sachdev.\|h[electronic resource] :
260	\|a[Dordrecht] : \|bSpringer, \|cc2008.
300	\|axvi, 193 p. : \|bill. ; \|c25 cm.
650	0\|aNanoelectronics.
650	0\|aMetal oxide semiconductors, Complementary\|xDesign.
650	0\|aRandom access memory.
655	0\|aElectronic books.
690	\|aMạch điện
690	\|aKỹ thuật điện
700	1 \|aSachdev, Manoj.
710	2 \|aSpringerLink (Online service)
852	\|aThư viện Đại học Nha Trang
856	1\|uhttps://thuvien.ntu.edu.vn/ntukiposdata2/sachdientu/tienganh/600_khoahocungdung_congnghe/620_congnghe_hoatdonglienhe/cmos sram circuit design...process-aware sram design and test_andrei pavlov/00.1402083629_001thumbimage.jpg
890	\|a0\|b0\|c1\|d0
999	\|aBrigham Young University

Không tìm thấy biểu ghi nào

Nhận xét