Luận văn, luận án
671
Development of a Melting and Directional Solidification Process for Improving the Grain Structure and Electronic Properties of a Silicon Wafer /
DDC 671
Tác giả CN Greenlee, Alison S.
Nhan đề Development of a Melting and Directional Solidification Process for Improving the Grain Structure and Electronic Properties of a Silicon Wafer / Alison S. Greenlee
Thông tin xuất bản Massachusetts Institute of Technology, 2011
Mô tả vật lý 58 P.
Tùng thư Luận án Tiến sĩ
Thuật ngữ chủ đề Minimizing Dislocation Counts
Tác giả(bs) CN Sachs, Emanuel M.
Tác giả(bs) CN Hardt, David E.
Địa chỉ Thư viện Đại học Nha Trang
000 00000nam#a2200000ui#4500
001189489
00216
004798B168B-DB96-4D14-9BCF-1F0EE5D72782
005202311210811
008081223s2011 vm| vie
0091 0
039|y20231121081112|zngavt
082 |a671
100 |aGreenlee, Alison S.
245 |aDevelopment of a Melting and Directional Solidification Process for Improving the Grain Structure and Electronic Properties of a Silicon Wafer / |cAlison S. Greenlee
260 |aMassachusetts Institute of Technology, |c2011
300 |a58 P.
490 |aLuận án Tiến sĩ
650 |aMinimizing Dislocation Counts
700 |aSachs, Emanuel M.
700|aHardt, David E.
852 |aThư viện Đại học Nha Trang
8561|uhttp://thuvien.ntu.edu.vn/ntukiposdata10/doan/luanan/600_khoahocungdung_congnghe/670_congnghiepchetao/developmentofamelting_alisonsgreenlee/0page_01thumbimage.jpg
890 |aSố đầu mục|bSố lượt lưu thông|c1|dSố lượt truy cập

Không tìm thấy biểu ghi nào

Nhận xét